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IRF7484PbF
100000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds
Crss = Cgd
SHORTED
8
7
I D = 14A
V DS = 32V
V DS = 20V
V DS = 8V
10000
1000
100
10
Coss = Cds + Cgd
Ciss
Coss
Crss
6
5
4
3
2
1
0
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
70
80
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
1000
1000
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100
T J = 150°C
100
100μsec
10
10
1msec
1
T J = 25°C
1
10msec
Tc = 25°C
0.10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
VGS = 0V
1.2 1.4
0.1
0
Tj = 150°C
Single Pulse
1
10
100
1000
4
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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